คำอธิบายโดยละเอียดของเทคโนโลยีที่สำคัญเพื่อให้เกิดการชาร์จอย่างรวดเร็วของ EV

เนื่องจากจำนวนยานพาหนะไฟฟ้า (EV) เพิ่มขึ้นจำเป็นต้องมีการเติบโตเพื่อสร้างระบบโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จที่ประหยัดพลังงานมากขึ้นซึ่งสามารถใช้ในการชาร์จยานพาหนะได้อย่างรวดเร็วมากขึ้น เมื่อเทียบกับ EVs ก่อนหน้านี้ EVs ใหม่มีช่วงการขับขี่ที่สูงขึ้นและความจุแบตเตอรี่ที่ใหญ่ขึ้นดังนั้นจึงจำเป็นต้องพัฒนาเครื่องชาร์จ EV อย่างรวดเร็วเพื่อตอบสนองความต้องการของการชาร์จอย่างรวดเร็ว ตอนนี้สถานีชาร์จ150กิโลวัตต์หรือ200กิโลวัตต์จะใช้เวลาประมาณ30นาทีในการชาร์จรถยนต์ไฟฟ้าถึง80% และยานพาหนะสามารถเดินทางได้ประมาณ250กม. ตามระบบการชาร์จร่วมและมาตรฐาน chademo สถานีชาร์จ DC ที่รวดเร็วสามารถให้พลังงานได้ถึง400กิโลวัตต์

ปัจจุบันไฟฟ้า AG ทำงานบนเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ที่ให้พลังงานกับเครื่องชาร์จไฟฟ้าได้เร็วขึ้นปลอดภัยและมีประสิทธิภาพมากขึ้น

สวิตช์เซมิคอนดักเตอร์แรงดันสูง (ทรานซิสเตอร์สองขั้วหุ้มฉนวน [IGBT] และซิลิคอนคาร์ไบด์ [sic]) กำลังขับแรงดันบัส (800 V หรือ1,000 V) ในระบบ เมื่อแรงดันไฟฟ้าของระบบเพิ่มขึ้นข้อกำหนดสำหรับเทคโนโลยีการแยกยังเพิ่มขึ้นเพื่อให้มั่นใจถึงความปลอดภัยและความน่าเชื่อถือโดยรวม

เมื่อตัวแปลงไฟสามารถเปลี่ยนความถี่ได้เร็วขึ้น (จากเฮิรตซ์ไม่กี่ร้อยเฮิรตซ์ถึงสองสามเมกะเฮิรตซ์) ขนาดของส่วนประกอบแม่เหล็กและส่วนประกอบแบบพาสซีฟอื่นๆที่ใช้ในวงจรจะลดลงที่ความถี่สูงเหล่านี้ซึ่งจะช่วยลดค่าใช้จ่ายของระบบและเพิ่มความหนาแน่นของพลังงานโดยรวม ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีการตรวจจับกระแสแบนด์วิดท์สูงและแรงดันไฟฟ้าเพื่อควบคุมและปกป้องระดับพลังงานดิจิตอลได้อย่างแม่นยำ

ประสิทธิภาพที่สูงขึ้นจำเป็นต้องใช้ระดับพลังงานที่ซับซ้อนหลายระดับซึ่งจำเป็นต้องใช้ไดรเวอร์ประตูแยกแรงดันสูงเพื่อเปลี่ยนระดับพลังงานเหล่านี้ได้อย่างมีประสิทธิภาพและลดการสูญเสียการสลับโดยรวม, รวมทั้งเพิ่มการป้องกันการแยกและการลัดวงจร

ความหนาแน่นของพลังงานสูงความน่าเชื่อถือและความทนทานมีความสำคัญมากขึ้นในตัวแปลงไฟที่ใช้ในเครื่องชาร์จรวดเร็ว EV.ค่าาา ในฐานะที่เป็นระดับพลังงานและแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นเป็นสิ่งสำคัญในการปกป้องบุคลากรและอุปกรณ์จากสภาพการทำงานที่เป็นอันตราย

ผู้ผลิตที่กำหนดเป้าหมายที่เครื่องชาร์จที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและประสิทธิภาพสูงจะใช้ตัวแปลงไฟแบบ IGBT, SIC และ GAN และช่วงความถี่ในการเปลี่ยนของพวกเขาตั้งแต่สองสามร้อยเฮิรตซ์ถึงสองสามเมกะเฮิรตซ์ เซ็นเซอร์กระแสและแรงดันไฟฟ้าความถี่สูงมีความสำคัญต่อการพัฒนาแพลตฟอร์มเหล่านี้

เทคโนโลยีไดรเวอร์สมาร์ทเกตจะตอบสนองความต้องการของระดับแรงดันไฟฟ้าสูงที่จำเป็นความเร็วในการสลับที่รวดเร็วและการป้องกันที่รวดเร็ว ด้วยการกระโดดและขอบเขตในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ในช่วงทศวรรษที่ผ่านมาเครื่องชาร์จ EV แบบรวดเร็วใหม่ซึ่งสามารถช่วยให้คุณสามารถชาร์จ EV ของคุณได้อย่างเต็มที่ในช่วงพักสั้นๆเร็วๆนี้จะพร้อมใช้งาน